Ведущий производитель мощных полупроводников на основе нитрида галия представил два новых усилительных модуля класса D на транзисторах GaN FET GS61008P — OL200DS и CL200M.
Первый – с 4 полумостовыми выходными модулями, которые могут работать в стерео в топологии bridge-tied-load (BTL) или независимо.
Модель CL200M – с двумя полумостовыми модулями, отличается также тем, что не требует радиаторов охлаждения. Оба модуля развивают по 200 Вт на канал на 8 Омах. Уровень THD+N у первого <0,1% на 200 Вт и <0,04% при той же мощности у второго, в обоих случаях – на 8 Омах.
поделиться
